350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом
Ключевые слова: : интегральный теплоотвод ограничительные кремниевые диоды СВЧ прибор
Авторы:
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru А.С. Ларюшкин - к.т.н., начальник кристального участка, ОАО «Оптрон» Е.С. Роговский - вед. инженер, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрена новая технология получения мощных ограничительных диодов на кремниевых эпитаксиальных структурах с интегральным теплоотводом для работы в двухсантиметровом диапазоне длин волн.
Страницы: 19-21
Список источников

 

  1. Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Иващенко Н.Г.Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приемных каналов ППМАФАР // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2010. Вып. 1 (224). С. 113-117.
  2. Способ изготовления полупроводниковых ограничительных диодов СВЧ диапазона групповым методом [Текст] : заявка на патент Ru 2452057С1 / Аверкин С.Н., Колмакова Т.П., Филатов М.Ю.; заявл. 17.02.2011.
  3. Шнитников А.С. Особенности проектирования сверхширокополосных диодных СВЧ ограничителей // Сб. тр. участников 15 Межд. Крымской конф. «СВЧ и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, 12-16 сентября 2005 г.). Крым. 2005. С. 451-452.