350 руб
Журнал «Радиотехника» №2 за 2010 г.
Статья в номере:
Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением
Ключевые слова: модель накопления повреждений интегральная микросхема повреждение импульсное ра-диоизлучение
Авторы:
А.В. Ключник - к.ф-м.н., начальник отдела ФГУП «Московский радиотехнический институт РАН». E-mail: kluch-1@yandex.ru А.В. Солодов - магистр, науч. сотрудник. ФГУП «Московский радиотехнический институт РАН». E-mail: ASolodovMRTI@yandex.ru
Аннотация:
Построена модель накопления повреждений цифровых интегральных микросхем (ИМС) при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведены статистический анализ вероятности отказа ИМС от числа и мощности воздействующих радиоимпульсов, статистическая обработка полученных экспериментальных результатов повреждения ИМС в электромагнитном поле радиоизлучения и сравнения их с результатами моделию
Страницы: 37-42
Список источников
  1. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В.Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением // 9-я Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь. 1999. С. 329-330.
  2. Сыноров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. Физические основы надежности интегральных схем / под ред. Ю.Г. Миллер. М.: Сов. радио. 1976. 320 с.
  3. Ключник А.В., Маслов Д.Е., Солодов А.В.Тепловое повреждение интегральных микросхем // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. 1994. Вып. 1 (461). C. 46-48.
  4. Whalen J.J.The RF Pulse Susceptibility of UHF Transistors // IEEE Trans. 1975. V. EMC-17. № 1.