350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №5 за 2016 г.
Статья в номере:
Анализ омического контакта системы титанникель с сильно легированным кремнием N-типа
Авторы:
А.В. Скипер - ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: skiper60@yandex.ru Н.С. Лазарев - студент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: lazarevnikolay05@gmail.com В.С. Зайончковский - к.ф.-м.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: vz48@post.ru И.А. Расторгуев - студент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: rastorguew94@gmail.com
Аннотация:
Отмечено, что омический контакт является одним из наиболее распространенных и значимых для электронных устройств. Рас-смотрена система, представляющая собой альтернативу алюминию - Ti-Ni. Приведены технологические особенности напыления данных металлов. Показаны вольт-амперные характеристики контактов после отжига при различных температурах.
Страницы: 8-10
Список источников

 

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с.
  2. Yoon S., Jeon H. A study on the change in phase transition temperature of TiSi2 by adding the Zr element on different Si substrates // J. Korean Phys. Soc. 1999. V. 34. № 4. P. 365−370.
  3. Clevenger L.A. et al. Study of C49-TiSi2 and C54-TiSi2 formation on doped polycrystalline silicon using in situ resistance measurements during annealing // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. № 12. P. 7874−7881.