А.Г. Гудков1, В.Н. Вьюгинов2, В.В. Попов3, Ю.В. Соловьев4, Н.К. Травин5, С.В. Чижиков6,
Р.В. Агандеев7, В.Д. Шашурин8

1,6–8 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)

3 ПАО «Светлана» (Санкт-Петербург, Россия)

4,5 АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург, Россия)

Постановка проблемы. Используемые в различных конструкциях приемников переключатель и малошумящий усилитель на основе полевых транзисторов на гетероструктурах должны обладать высоким качеством, поэтому необходимо провести
исследование влияния погрешности изготовления транзисторов для МИС СВЧ на механические и электрические параметры.

Цель. Провести исследование влияния технологии резки монокристаллов и технологии механической обработки поверхности подложек на механические параметры, а также влияние температуры на электрические свойства подложек карбида кремния; разработать методику измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния.

Результаты. Представлены результаты экспериментального исследования влияния температурного воздействия на удельное сопротивление подложек полуизолирующего карбида кремния. Проведена оптимизация процессов двусторонней шлифовки и полировки. Экспериментально выявлено, что разработанная технология резки монокристаллов полуизолирующего карбида кремния соответствует всем современным требованиям к этому процессу.

Практическая значимость. Проведенные исследования процессов двусторонней шлифовки и полировки показали, что разработанная технология резки монокристаллов полуизолирующего карбида кремния соответствует современным требованиям.

Гудков А.Г., Вьюгинов В.Н., Попов В.В., Соловьев Ю.В., Травин Н.К., Чижиков С.В., Агандеев Р.В., Шашурин В.Д. Технологические аспекты изготовления МИС СВЧ // Успехи современной радиоэлектроники. 2022. T. 76. № 8. С. 52–71. DOI: https://doi.org/10.18127/j20700784-202208-03

1. Остроумов А.Г., Рогачев А.А., Лосев О.В. Пионер полупроводниковой электроники. Сб. Научных трудов. Физика: проблемы, история, люди / Под ред. В.М. Тучкевича. Л.: Наука. 1986.
2. Новиков М.А., Лосев О.В. Пионер полупроводниковой электроники // ФТТ. 2004. № 46. С. 5–9.
3. Аникин М.М., Андреев А.Н., Лебедев А.А., Пятко С.Н., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Высокотемпературный диод Шоттки // ФТП. 1991. № 25.
4. Аникин М.М., Иванов П.А., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е. SiC 6H – полевой транзистор с рекордной для карбидкремневых транзисторов крутизной // Письма в ЖТФ. 1989. № 15.
5. Лебедев А.А., Аникин М.М., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки // ФТП. 1995. № 29. С. 1231–1236.
6. Anikin M.M., Andreev A.N., Pyatko S.N., Savkina N.S., Strelchuk A.M., Syrkin A.L., Chelnokov V.E. UV photodetectors in 6H-SiC, Sensotrs and Actuators A. 1992. № 33. P. 91–93.
7. Bludov A.V., Boltovets M.S., Vasilevski K.V., Zorenko A.V., Zakentes K., Lebedev A.A., Krivitsa V.A. Simulation and prototype fabrication of microwave modulators with 4H-SiC p-I-n diode // Material science Forum. 2004. V. 457–460. P. 1089–1092.
8. Vasilevski K.V., Zorenko A.V., Zekentes K. Experimentsl observation of microwave oscillations produced by pulsed silicon carbide IMPATT diodes // Electron. Letters. 2001. № 37 (7). P. 466–467.
9. Лебедев А.А., Белов С.В., Лебедев С.П., Литвин Д.П. и др. Начало промышленного выпуска SiC подложек и приборов на их основе // Труды 1-й российско-белорусской науч.-технич. конф. «Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвященной 110-ю со дня рождения О.В. Лосева / Под ред. А.Э. Рассадина. Н. Новгород: Нижегородская радиолаборатория. 2013. В 2-х т. Т. 1. С. 23–24.
10. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Investigation of Growth proceses of ingots of silicon carbide single crystals // J.Crystal Growth. 1978. № 43. P. 209–212.
11. Patent USSR № 403275 (1970), Patent GB № 1458445 (21/02/74), Patent USA (1970) № 4147575 (03/04/79). Vodakov Yu.A., Mokhov E.N.
12. Mokhov E.N., Shulpina I.L., Tregubova A.S., Vodakov Yu.A. Cryst. Res. Technol. 1981. № 16.
13. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Mokhov E.N. and etc. Analysis of silicon carbide growth by sublimation sandwich method, J. of Crystal Growth. 1997. № 173. P. 408–416.
14. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1973.
15. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Попов В.В. Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ. Кн. 3. М.: ООО НТП «Вираж-Центр». 2016.
16. http://www.lapmaster.co.uk
17. http://www.logitech.co.uk
18. http://www.speedfam.com/en/index.html
19. http://www.peter-wolters.com
20. Zhang W., Meyer B.K. Growth of GaN quasi-substrates by hydride vapor phase epitaxy // Phys. Stat. Sol. 2003. V. 0. № 6. P. 1571–1582.
21. Ambacher O. Growth and applications of Group III-nitrides // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. № 31. P. 2653–2710.
22. ГОСТ 25948-83. Измерение удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла.
23. ГОСТ Р8.623-2006 ГСИ. Относительная диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков. Методики выполнения измерений в диапазоне сверхвысоких частот.
24. http://www.semimap.de/COREMA-WT.htm
25. Вьюгинов В.Н., Уланова Т.А., Григорьев А.Д. Измерение параметров карбид-кремниевых подложек на СВЧ // Известия
    ВУЗов России. Радиоэлектроника. 2013. № 3.
26. Гольдштейн Р.В., Осипенко М.Н. Химико-механическое полирование. Ч. 1. Основные закономерности. Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН. Москва.