Разработка компонентов бортовых многоканальных ГНСС приемников космических аппаратов всех типов орбит на основе арсенид-галлиевой технологии отечественного производства

С.Г. Кочура; Н.А. Тестоедов; В.Н. Школьный; С.Б. Сунцов; А.В. Кондратенко; К.А. Алексеев; В.М. Карабан

Разработка компонентов бортовых многоканальных ГНСС приемников космических аппаратов всех типов орбит на основе арсенид-галлиевой технологии отечественного производства

С.Г. Кочура¹, Н.А. Тестоедов², В.Н. Школьный³, С.Б. Сунцов⁴, А.В. Кондратенко⁵, К.А. Алексеев⁶, В.М. Карабан⁷

научная статья Страницы: 39-43

¹ к.т.н., зам. ген. конструктора по электрическому проектированию и системам управления КА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск)
² д.т.н., профессор, чл.-корр., зав. кафедрой космических информационных систем, Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева
³ гл. конструктор проектирования и испытаний РЭА, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск)
⁴ к.т.н., начальник отдела конструирования радиоэлектронной аппаратуры, АО «Информационные спутниковые системы» им. академика М.Ф. Решетнева» (г. Железногорск)
⁵ мл. науч. сотрудник, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск)
⁶ лаборант, НИИ систем электрической связи ТУСУРа (г. Томск)
⁷ к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, зав. лабораторией, НИИ космических технологий ТУСУРа (г. Томск)

Ключевые слова: полупроводники арсенид-галлиевая технология монолитные интегральные схемы радиационная стойкость космический аппарат навигационный приемник ГНСС-сигналы двухпозиционный коммутатор малошумящий усилитель полевые транзисторы затвор Шоттки

Аннотация

Проведена разработка технических решений радиационно-стойких монолитно-интегральных схем (МИС) двухпозиционного коммутатора и малошумящего усилителя (МШУ) на основе арсенид-галлиевой технологии собственного производства для применения в составе бортовых многоканальных навигационных приемников сигналов глобальных навигационных спутниковых систем (ГНСС) космических аппаратов всех типов орбит для их автономного координатно-временного обеспечения.

Для цитирования

Кочура С.Г., Тестоедов Н.А., Школьный В.Н., Сунцов С.Б., Кондратенко А.В., Алексеев К.А., Карабан В.М. Разработка компонентов бортовых многоканальных ГНСС приемников космических аппаратов всех типов орбит на основе арсенид-галлиевой технологии отечественного производства // Наукоемкие технологии. 2015. № 3. С. 39–43.

Список источников

HMC190AMS8/190AMS8E - GaAsMMICSPDTSwitchDC‑3 Ghz [Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc190ams8.pdf.
GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP202 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/switches/MP202.
Петрова Т.С., Еремина Е.Л., Игнатьев М.Г., Козлова Л.А., Баров А.А. Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs // Известия Томского политехнического университета. 2006. Т. 309. № 8. С. 172−175.
Баров А.А., Гюнтер В.Я., Игнатьев М.Г., Петрова Т.С. Управляющие монолитно-интегральные схемы СВЧ на базе GaAs ПТШ // Материалы 15‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2005) (Севастополь, 12−16 сентября 2005 г.). Севастополь: Вебер. 2005. С. 175−176.
Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ. / Под ред. ДиЛоренцо Д.В., Канделуола Д.Д. М.: Радио и связь. 1988. 496 с.
Gutmann R.J., Fryklund D.J. Characterization of Linear and Nonlinear Properties of GaAs MESFET-s for Broad-Band Control Applications // Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1987. V. 35. № 5. P. 516−521.
Зыков Д.Д., Матвеев В.В., Нечаев К.А., Карабан В.М. Повышение качества продукции посредством использования причинно-следственной диаграммы в комплексе с информационной системой управления полупроводниковым производством // Докл. ТУСУР. 2013. № 4(30). С. 173−176.
Jain N., Gutmann R.J.ModelingandDesignofGaAsMESFETControlDevicesforBroad-BandApplications // TransactionsonMicrowaveTheoryandTechniques. 1990. V. 38. № 2. P. 109−117.
HMC618LP3/618LP3E - GaAsSMTpHEMTLowNoiseAmplifier, 1,2−2,2 GHz[Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc618lp3.pdf.
GaAs МИС широкополосного усилителя 1−4 ГГц МР502 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/amplifiers/MP502.
Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В.и др. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х‑диапазона на основе 0,15 мкм GaAspHEMT-технологии // Доклады ТУСУРа. 2010. № 2(22). С. 105−117.
Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В.GaAspHEMT МИС малошумящего усилителя Х‑диапазона // Материалы 21‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 159−160.
Текшев В.Б. Двухтранзисторный СВЧ-усилитель с минимальным коэффициентом шума и согласованным входом и выходом // Общие вопросы радиоэлектроники. 1990. № 15. С. 16−23.
Миронов М.А., Башаев А.В., Полосин С.А. Контроль целостности в бортовых системах функционального дополнения глобальных навигационных спутниковых систем // Радиотехника. 2004. № 7.

Полный текст, PDF 350 ₽

[1] HMC190AMS8/190AMS8E - GaAsMMICSPDTSwitchDC‑3 Ghz [Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc190ams8.pdf.

[2] GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP202 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/switches/MP202.

[3] Петрова Т.С., Еремина Е.Л., Игнатьев М.Г., Козлова Л.А., Баров А.А. Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs // Известия Томского политехнического университета. 2006. Т. 309. № 8. С. 172−175.

[4] Баров А.А., Гюнтер В.Я., Игнатьев М.Г., Петрова Т.С. Управляющие монолитно-интегральные схемы СВЧ на базе GaAs ПТШ // Материалы 15‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2005) (Севастополь, 12−16 сентября 2005 г.). Севастополь: Вебер. 2005. С. 175−176.

[6] Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ. / Под ред. ДиЛоренцо Д.В., Канделуола Д.Д. М.: Радио и связь. 1988. 496 с.

[7] Gutmann R.J., Fryklund D.J. Characterization of Linear and Nonlinear Properties of GaAs MESFET-s for Broad-Band Control Applications // Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1987. V. 35. № 5. P. 516−521.

[8] Зыков Д.Д., Матвеев В.В., Нечаев К.А., Карабан В.М. Повышение качества продукции посредством использования причинно-следственной диаграммы в комплексе с информационной системой управления полупроводниковым производством // Докл. ТУСУР. 2013. № 4(30). С. 173−176.

[9] Jain N., Gutmann R.J.ModelingandDesignofGaAsMESFETControlDevicesforBroad-BandApplications // TransactionsonMicrowaveTheoryandTechniques. 1990. V. 38. № 2. P. 109−117.

[10] HMC618LP3/618LP3E - GaAsSMTpHEMTLowNoiseAmplifier, 1,2−2,2 GHz[Электронный ресурс] URL: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc618lp3.pdf.

[11] GaAs МИС широкополосного усилителя 1−4 ГГц МР502 [Электронный ресурс] URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/amplifiers/MP502.

[12] Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Федоров Ю.В.и др. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х‑диапазона на основе 0,15 мкм GaAspHEMT-технологии // Доклады ТУСУРа. 2010. № 2(22). С. 105−117.

[13] Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В.GaAspHEMT МИС малошумящего усилителя Х‑диапазона // Материалы 21‑й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер. 2011. Т. 1. С. 159−160.

[14] Текшев В.Б. Двухтранзисторный СВЧ-усилитель с минимальным коэффициентом шума и согласованным входом и выходом // Общие вопросы радиоэлектроники. 1990. № 15. С. 16−23.

[15] Миронов М.А., Башаев А.В., Полосин С.А. Контроль целостности в бортовых системах функционального дополнения глобальных навигационных спутниковых систем // Радиотехника. 2004. № 7.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи