Совершенствование конструкции магнетронного реактора для травления материалов в низкотемпературной плазме

С.Б. Беневоленский; Е.В. Жалнова; В.И. Кубрин; Е.В. Марсова

Совершенствование конструкции магнетронного реактора для травления материалов в низкотемпературной плазме

С.Б. Беневоленский¹, Е.В. Жалнова², В.И. Кубрин³, Е.В. Марсова⁴

научная статья Страницы: 16-19

¹ д.т.н., профессор, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского
² ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского
³ к.т.н., доцент, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского
⁴ д.т.н., доцент, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского

Ключевые слова: магнетронный реактор низкотемпературная плазма

Аннотация

Проведена оптимизация оборудования для вакуумно-плазменных процессов, проходящих в магнетронном реакторе для травления материалов в низкотемпературной плазме. Показано, что отличием подхода, внедряемого авторами, является совершенствование конструкции магнетронного реактора с замкнутым дрейфом электронов вокруг электрода-подложкодержателя

Для цитирования

Беневоленский С.Б., Жалнова Е.В., Кубрин В.И., Марсова Е.В. Совершенствование конструкции магнетронного реактора для травления материалов в низкотемпературной плазме // Наукоемкие технологии. 2012. № 2. С. 16–19.

Список источников

Таран В.М., Орлов В.И. Оборудование для плазменной обработки материалов изделий электронной техники. М.: ЦНИИ «Электроника». 1987.
Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа. 1987.
Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесе¬ния тонких пленок. М.: Энергоатомиздат. 1989.
Смирнов Б.М. Введение в физику плазмы. М.: Наука. 1982.
Русанов В.Д., Фридман А.А. Физика химически активной плазмы. М.: Наука. 1984.
Патент США №4441974, кл. НКИ 204/192.
Феодосьев В.И. Сопротивление материалов: изд. 10 перераб. М.: Наука. 1999.

[1] Таран В.М., Орлов В.И. Оборудование для плазменной обработки материалов изделий электронной техники. М.: ЦНИИ «Электроника». 1987.

[2] Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа. 1987.

[3] Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесе¬ния тонких пленок. М.: Энергоатомиздат. 1989.

[4] Смирнов Б.М. Введение в физику плазмы. М.: Наука. 1982.

[5] Русанов В.Д., Фридман А.А. Физика химически активной плазмы. М.: Наука. 1984.

[6] Патент США №4441974, кл. НКИ 204/192.

[7] Феодосьев В.И. Сопротивление материалов: изд. 10 перераб. М.: Наука. 1999.