Сплавы a-SiC:H и a-SiGe:H, полученные в низкочастотной плазме (55 кГц) тлеющего разряда

Будагян Б.Г.; Шерченков А.А.; Горбулин Г.Л.

Сплавы a-SiC:H и a-SiGe:H, полученные в низкочастотной плазме (55 кГц) тлеющего разряда

Будагян Б.Г.¹, Шерченков А.А.², Горбулин Г.Л.³

научная статья

Аннотация

Разработана технология формирования активных слоев на основе сплавов a-SiGe:H и a-SiC:H с различной шириной запрещенной зоны при повышенных скоростях роста (до 12 A/с для a-SiGe:H и до 15 A/с для a-SiC:H).

Для цитирования

Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Горбулин Г.Л. Сплавы a-SiC:H и a-SiGe:H, полученные в низкочастотной плазме (55 кГц) тлеющего разряда // Наукоемкие технологии. 2005. № 3-4.