Сплавы a-SiC:H и a-SiGe:H, полученные в низкочастотной плазме (55 кГц) тлеющего разряда
Abstract
Разработана технология формирования активных слоев на основе сплавов a-SiGe:H и a-SiC:H с различной шириной запрещенной зоны при повышенных скоростях роста (до 12 A/с для a-SiGe:H и до 15 A/с для a-SiC:H).
How to cite
Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Горбулин Г.Л. Сплавы a-SiC:H и a-SiGe:H, полученные в низкочастотной плазме (55 кГц) тлеющего разряда // Наукоемкие технологии. 2005. № 3-4.