Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
- 1 к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
- 2 д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 3 начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
- 4 ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 5 к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 6 д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 7 д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 8 аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 9 ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Представлены основные принципы работы стенда для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых приборов в условиях производства. Представлена схема установки для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых изделий. Предложена методика, позволяющая проводить экспресс-анализ шумов приборов, находящихся на поверхности полупроводниковой пластины, и оценивать качество материала, из которого изготавливают полупроводниковый прибор. Представлены энергетические спектры шумов тока стока GaN-транзистора на SiC-подложке и вывод о качестве GaN-материала, из которого изготовлен транзистор.
Для цитирования
Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Кудряшова Т.Ю., Мещеряков А.В., Усыченко В.Г., Шашурин В.Д., Видякин С.И., Чижиков С.В. Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума // Радиотехника. 2016. № 5. С. 152–154.
Список источников
- Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных приборах. М.: Физматлит. 2012. 512 с.
- Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.
- Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.
- Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.