Method and equipment for measuring of low-frequency noise
- 1 к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
- 2 д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 3 начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
- 4 ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 5 к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 6 д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- 7 д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 8 аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 9 ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
Abstract
The main operating principles of stand for the low-frequency noise measuring of semiconductor devices are described. The structural scheme of device for the low-frequency noise measuring of semiconductor devices is described. The method, allowing to carry out a express-analysis of low frequency noise transistors, lying on the surface of the semiconductor wafer, and to evaluate the quality of material used for production of semiconductor devices, is suggested. The energy specters of current drain noise of GaN transistor on the SiC substrate and conclusion about the quality of GaN-material used for production of transistor are presented.
How to cite
Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Кудряшова Т.Ю., Мещеряков А.В., Усыченко В.Г., Шашурин В.Д., Видякин С.И., Чижиков С.В. Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума // Радиотехника. 2016. № 5. С. 152–154.
References
- ZHigalskijj G.P. Fluktuacii i shumy v ehlektronnykh priborakh. M.: Fizmatlit. 2012. 512 s.
- Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.
- Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.
- Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.