Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума

В.Н. Вьюгинов; А.Г. Гудков; В.А. Добров; Т.Ю. Кудряшова; А.В. Мещеряков; В.Г. Усыченко; В.Д. Шашурин; С.И. Видякин; С.В. Чижиков

Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума

В.Н. Вьюгинов¹, А.Г. Гудков², В.А. Добров³, Т.Ю. Кудряшова⁴, А.В. Мещеряков⁵, В.Г. Усыченко⁶, В.Д. Шашурин⁷, С.И. Видякин⁸, С.В. Чижиков⁹

научная статья УДК 621.382 Страницы: 23-25

¹ к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
² д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
³ начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
⁴ ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
⁵ к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
⁶ д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
⁷ д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
⁸ аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
⁹ ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

Ключевые слова: низкочастотный шум полевые транзисторы гетероструктуры AlGaN/GaN

Аннотация

Представлены основные принципы работы стенда для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых приборов в условиях производства. Представлена схема установки для измерения низкочастотных шумов полупроводниковых изделий. Предложена методика, позволяющая проводить экспресс-анализ шумов приборов, находящихся на поверхности полупроводниковой пластины, и оценивать качество материала, из которого изготавливают полупроводниковый прибор. Представлены энергетические спектры шумов тока стока GaN-транзистора на SiC-подложке и вывод о качестве GaN-материала, из которого изготовлен транзистор.

Для цитирования

Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Кудряшова Т.Ю., Мещеряков А.В., Усыченко В.Г., Шашурин В.Д., Видякин С.И., Чижиков С.В. Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2022. № 2. С. 23–25.

Список источников

Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных приборах. М.: Физматлит. 2012. 512 с.
Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.
Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.
Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.

[1] Жигальский Г.П. Флуктуации и шумы в электронных приборах. М.: Физматлит. 2012. 512 с.

[2] Levinshtein M.E., Rumyntsev S.L., Tauk R., et al. Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistor with 50-nm gate length // Journal of Applied Physics. 2007. 102. 064506.

[3] Rumyntsev S.L., Pala N., Shur M.S., et al. Concentration dependence of the 1/f noise in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors // Semiconductor Science and Technology. 2002. № 17. P. 476−479.

[4] Shmidt N.M., Levinshtein M.E., Lundin W.V., et al. Low-frequency noise in GaN- epilayers with different degree of order of the mosaic structure // Semiconductors. 2004. № 38 P. 1036.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи