МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах

В.Н. Вьюгинов; А.Г. Гудков; С.И. Видякин; Ю.С. Кузьмичев

МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах

В.Н. Вьюгинов¹, А.Г. Гудков², С.И. Видякин³, Ю.С. Кузьмичев⁴

научная статья Страницы: 110-112

¹ к.ф.-м.н., директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
² д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
³ аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
⁴ начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)

Ключевые слова: переключатель монолитная интегральная схема космическое применение функциональные характеристики SiC pin-диод карбид-кремниевый диод ионизирующее излучение перепад температуры

Аннотация

Сформулированы основные требования к параметрам МИС СВЧ-переключателей на SiC pin-диодах. Рассмотрено влияние ос-новных дестабилизирующих факторов (перепадов температуры и ИИ), свойственных космическому пространству, на параметры SiC pin-диода. Приведены зависимости основных параметров образцов МИС СВЧ-переключателей на SiC pin-диодах.

Для цитирования

Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Видякин С.И., Кузьмичев Ю.С. МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах // Радиотехника. 2016. № 1. С. 110–112.

Список источников

Лебедев А., Сбруев С.SiC Электроника // Электроника Наука Технология Бизнес. 2006. № 523‑41.
Басанец В., Беляева А.и др. // Техпика и приборы СВЧ. 2011. № 2. С. 26−28.
Nakatsuka, Tomonoriet al. // Materials Trasations. 2002. V. 43. № 7. P. 1684−1688.
Бланк Т.В., Гольберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. № 11. С. 1281−1308.
Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В.и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 4. С. 504−511.
Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. М.: Сайнс-пресс. 2008. 336 с.
Pucel R.A. Design considerations for monolithic microwave circuits // IEEE Trans. V. MTT-29. № 6. P. 513−534.
Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Морозов А.А.и др. Монолитные аналоговые интегральные схемы СВЧ диапазона // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1981. № 4. С. 3−44.
Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Гудков А.Г.и др. Разработка карбид-кремниевых PIN-диодов для мощных защитных устройств, эксплуатируемых в аппаратах космического назначения // Материалы 25-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2015). Севастополь. 2015. С. 849−850.

Полный текст, PDF 350 ₽

[1] Лебедев А., Сбруев С.SiC Электроника // Электроника Наука Технология Бизнес. 2006. № 523‑41.

[2] Басанец В., Беляева А.и др. // Техпика и приборы СВЧ. 2011. № 2. С. 26−28.

[3] Nakatsuka, Tomonoriet al. // Materials Trasations. 2002. V. 43. № 7. P. 1684−1688.

[4] Бланк Т.В., Гольберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. № 11. С. 1281−1308.

[5] Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В.и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 4. С. 504−511.

[6] Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. М.: Сайнс-пресс. 2008. 336 с.

[7] Pucel R.A. Design considerations for monolithic microwave circuits // IEEE Trans. V. MTT-29. № 6. P. 513−534.

[8] Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Морозов А.А.и др. Монолитные аналоговые интегральные схемы СВЧ диапазона // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1981. № 4. С. 3−44.

[9] Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Гудков А.Г.и др. Разработка карбид-кремниевых PIN-диодов для мощных защитных устройств, эксплуатируемых в аппаратах космического назначения // Материалы 25-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2015). Севастополь. 2015. С. 849−850.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи