Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры

В.Н. Вьюгинов; А.Г. Гудков; А.А. Зыбин; П.А. Шаганов; С.И. Видякин

Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры

В.Н. Вьюгинов¹, А.Г. Гудков², А.А. Зыбин³, П.А. Шаганов⁴, С.И. Видякин⁵

научная статья Страницы: 107-109

¹ к.ф.-м.н., директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
² д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана
³ начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
⁴ инженер-конструктор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург)
⁵ аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

Ключевые слова: малошумящий усилитель монолитная интегральная схема чувствительность помехоустойчивость функ-циональные характеристики

Аннотация

Сформулированы основные требования к параметрам малошумящих усилителей (МШУ). Приведены результаты исследования кинетики функциональных характеристик МИС МШУ под действием перепадов температуры.

Для цитирования

Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Зыбин А.А., Шаганов П.А., Видякин С.И. Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры // Радиотехника. 2016. № 1. С. 107–109.

Список источников

Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. Машиностроитель. 2012. № 8. С. 15−18.
Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В. Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона 8-12 ГГц на основе GaAspHEMT-технологии // Материалы докладов Междунар. научно-практической конф. «Электронные средства и системы управления» (10−11 ноября 2011). Томск: В‑Спектр. 2011. С. 53−57.
Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего pHEMT транзистора с применением САПР MicrowaveOffice // Вестник НовГУ. Сер. Технические науки. 2012. № 68. С. 41−45.
Quay R.et al. Efficient AlGaN/GaN HEMT Power Amplifiers // Proceedings of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference. Amsterdam. Oct. 2008. P. 87.

[1] Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. Машиностроитель. 2012. № 8. С. 15−18.

[2] Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В. Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона 8-12 ГГц на основе GaAspHEMT-технологии // Материалы докладов Междунар. научно-практической конф. «Электронные средства и системы управления» (10−11 ноября 2011). Томск: В‑Спектр. 2011. С. 53−57.

[3] Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего pHEMT транзистора с применением САПР MicrowaveOffice // Вестник НовГУ. Сер. Технические науки. 2012. № 68. С. 41−45.

[4] Quay R.et al. Efficient AlGaN/GaN HEMT Power Amplifiers // Proceedings of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference. Amsterdam. Oct. 2008. P. 87.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи