Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ
- 1 д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»
- 2,4 к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»
- 3 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»
- 5 к.ф.-м.н., доцент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»
Ключевые слова:
сверхкороткие импульсыполевые транзисторы с затвором Шотткиполуизолирующие подложкиглубокие уровни
Аннотация
Описаны эксперименты по воздействию на GaAs ПТШ сверхкоротких импульсов высокой амплитуды с большим периодом следования. Показано, что, несмотря на малую величину средней мощности помехи, возникают заметные нарушения работоспособности ПТШ обратимого типа. При воздействии последовательности импульсов имеет место накопление эффекта функционального подавления ПТШ.
Для цитирования
Бобрешов А.М., Коровченко И.С., Нестеренко- Ю.Н., Степкин В.А., Усков Г.К. Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ // Радиотехника. 2013. № 4. С. 54–57.
Список источников
- Шахнович И.Сверхширокополосная связь. Второе рождение - // Электроника : НТБ. 2001. № 4. С. 8 - 15.
- Иммореев И., Судаков А. Сверхширокополосные и узкополосные системы связи. Совместная работа в общей полосе частот // Электроника : НТБ. 2003. № 2. С. 36 - 39.
- Бобрешов А. М [и др.] Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех // Радиотехника. 2011. № 8. С. 54 - 57.
- Itoh T. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET`s / T. Itoh, H. Yanai // IEEE Transactions on Electron Devices, 1980. V. ED-27. № 6. P. 1037 - 1045.
- Антипин В. В. [и др.] Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника. 1995. № 1. С. 37 - 53.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / Под ред. Д. В. Ди Лорецо, Д. Д. Канделуола. М.: Радиоисвязь. 1988. 496 с.
- Shockley W. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons / W. Shockley, W. Read, Jr. // Phys. Rev. 1952. V. 87. № 5. P. 835 - 842.
- Бобрешов А. М. [и др.] Переходные процессы в GaAs ПТШ под действием электрической перегрузки во входной цепи // «Радиолокация, навигация, связь». Материалы XVI Междунар. НТК. Воронеж, 13-15 апр. 2010 г. Воронеж, 2010. Т. 1. С. 477 - 492.