Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех

А.М. Бобрешов; А.В. Иванцов; И.С. Коровченко; В.А. Степкин; Г.К. Усков

Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех

А.М. Бобрешов¹, А.В. Иванцов², И.С. Коровченко³, В.А. Степкин⁴, Г.К. Усков⁵

научная статья Страницы: 54-57

¹ д. ф.-м. н., профессор кафедры электроники, Воронежский государственный университет
² к. т. н., ст. преподаватель, Военный авиационный инженерный университет
³ к. ф.-м. н., ассистент кафедры электроники, Воронежский государственный университет
⁴ аспирант кафедры электроники ВГУ
⁵ к. ф.-м. н., доцент кафедры электроники, Военный авиационный инженерный университет

Ключевые слова: электромагнитная совместимость сверхкороткие импульсы автоматизированные измерения малошумящие усилители полевые транзисторы с затвором Шоттки транзисторы с высокой подвижностью электронов

Аннотация

Описан автоматизированный измерительный стенд для исследования характеристик электромагнитной совместимости малошумящих усилителей при воздействии последовательностей импульсов субнаносекундной длительности. Разработаны соответствующие алгоритмы измерения и расчета.

Для цитирования

Бобрешов А.М., Иванцов А.В., Коровченко И.С., Степкин В.А., Усков Г.К. Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех // Радиотехника. 2011. № 8. С. 54–57.

Список источников

Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К., Обрезан О.И. Исследование обратимых отказов GaАs ПТШ при импульсных перегрузках // Изв. вузов. Сер. Электроника. 2006. № 5. С. 69-77.
Бобрешов А.M, ЛевченкоВ.Н., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Кошелев А.Г., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К. Экспериментальное исследование обратимой деградации GaАs ПТШ под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. Т. 10. № 1. С. 104-111.
Bobreshov A.M.,Korovchenko I.S. et al. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultra-short pulses // IEEE Proceedings of Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on. 2009. P. 389-392.
Бобрешов А.М., Ряполов М.П., Усков Г.К. Обратимые отказы НЕМТ-транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12. № 1. С. 63-68.
Бобрешов А.М., Руднев Е.А., Усков Г.К. Характеристики помехозащищенности полевого транзистора в условиях действия импульсных помех большой амплитуды // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. 2007. № 1. С. 31-45.
Itoh T., Yanai H. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET`s // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. V. ED-27. №6. P. 1037-1045.

Полный текст, PDF 350 ₽

[1] Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К., Обрезан О.И. Исследование обратимых отказов GaАs ПТШ при импульсных перегрузках // Изв. вузов. Сер. Электроника. 2006. № 5. С. 69-77.

[2] Бобрешов А.M, ЛевченкоВ.Н., Китаев Ю.И., Коровченко И.С., Кошелев А.Г., Нестеренко Ю.Н., Усков Г.К. Экспериментальное исследование обратимой деградации GaАs ПТШ под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. Т. 10. № 1. С. 104-111.

[3] Bobreshov A.M.,Korovchenko I.S. et al. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultra-short pulses // IEEE Proceedings of Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on. 2009. P. 389-392.

[4] Бобрешов А.М., Ряполов М.П., Усков Г.К. Обратимые отказы НЕМТ-транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12. № 1. С. 63-68.

[5] Бобрешов А.М., Руднев Е.А., Усков Г.К. Характеристики помехозащищенности полевого транзистора в условиях действия импульсных помех большой амплитуды // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. 2007. № 1. С. 31-45.

[6] Itoh T., Yanai H. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET`s // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. V. ED-27. №6. P. 1037-1045.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи