Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех

А.М. Бобрешов; И.С. Коровченко; В.А. Степкин; Г.К. Усков; Лэ Куанг Тук

Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех

А.М. Бобрешов¹, И.С. Коровченко², В.А. Степкин³, Г.К. Усков⁴, Лэ Куанг Тук⁵

научная статья Страницы: 154-158

¹ д.ф.-м.н., профессор, декан Физического факультета, Воронежский государственный университет
^2,3 к.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет
⁴ д.ф.-м.н., доцент, Физический факультет, Воронежский государственный университет
⁵ аспирант, Физический факультет, Воронежский государственный университет

Ключевые слова: электромагнитная совместимость сверхкороткие видеоимпульсы малошумящий усилитель биполярный транзистор с гетеропереходом автоматизированные измерения

Аннотация

Приведены результаты экспериментального исследования характеристик электромагнитной совместимости входных малошумящих усилителей на основе биполярных транзисторов с гетеропереходом при воздействии последовательности сверхкоротких видеоимпульсов. На основании измеренных экспериментальных зависимостей даны рекомендации по выбору режимов работы малошумящего усилителя при воздействии импульсных помех.

Для цитирования

Бобрешов А.М., Коровченко И.С., Степкин В.А., Усков Г.К., Тук Л.К. Характеристики электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом при воздействии сверхкоротких импульсных помех // Радиотехника. 2016. № 6. С. 154–158.

Список источников

Бобрешов А.M., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н. Экспериментальное определение стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам // Приборы и техника эксперимента. 2007. № 5. С. 108−113.
Бобрешов А.М., Ряполов М.П., Усков Г.К. Обратимые отказы HEMT-транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12. № 1. С. 62−67.
Баранов И.А., Климова А.В., Манченко Л.В.и др. Влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики транзисторов и малошумящих усилителей при воздействии импульсов СВЧ-мощности // Радиотехника. 2006. № 3. С. 34−42.
Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 2011.
Совместимость технических средств электромагнитная. Приборы СВЧ. Усилители малошумящие. Параметры и характеристики. Методы измерения. ГОСТ 29180-91 (введ. 01.07.92).
Антоненко В.В.и др. Оптимизация характеристик ЭМС транзисторных каскадов выбором режимов работы транзистора // Твердотельная электроника сверхвысоких частот. 1990. № 3. С. 17−20.
Бобрешов А.М., Зверев А.М., Нестеренко Ю.Н. Адаптация характеристик электромагнитной совместимости многокаскадных усилителей на полевых транзисторах // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 4. С. 71−74.
Алгазинов Э.К., Бобрешов А.М., Иркутский О.А. Малошумящий усилитель на полевом транзисторе при различных электрических режимах работы // Известия ВУЗов. Электроника. 1998. № 4. С. 50−54.

[1] Бобрешов А.M., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.Н. Экспериментальное определение стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам // Приборы и техника эксперимента. 2007. № 5. С. 108−113.

[2] Бобрешов А.М., Ряполов М.П., Усков Г.К. Обратимые отказы HEMT-транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12. № 1. С. 62−67.

[3] Баранов И.А., Климова А.В., Манченко Л.В.и др. Влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики транзисторов и малошумящих усилителей при воздействии импульсов СВЧ-мощности // Радиотехника. 2006. № 3. С. 34−42.

[4] Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 2011.

[5] Совместимость технических средств электромагнитная. Приборы СВЧ. Усилители малошумящие. Параметры и характеристики. Методы измерения. ГОСТ 29180-91 (введ. 01.07.92).

[6] Антоненко В.В.и др. Оптимизация характеристик ЭМС транзисторных каскадов выбором режимов работы транзистора // Твердотельная электроника сверхвысоких частот. 1990. № 3. С. 17−20.

[7] Бобрешов А.М., Зверев А.М., Нестеренко Ю.Н. Адаптация характеристик электромагнитной совместимости многокаскадных усилителей на полевых транзисторах // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 4. С. 71−74.

[8] Алгазинов Э.К., Бобрешов А.М., Иркутский О.А. Малошумящий усилитель на полевом транзисторе при различных электрических режимах работы // Известия ВУЗов. Электроника. 1998. № 4. С. 50−54.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи