Фотогальванический эффект в двумерном топологическом изоляторе с туннельными контактами
- 1 студент, МФТИ
- 2 гл. науч. cотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Ключевые слова:
фотогальванический эффекттопологический изоляторпроводящие поверхностные состоянияспин-поляризованный ток
Аннотация
Показано теоретически, что межзонные электродипольные переходы под действием циркулярно поляризованного света приводят к электрическому току, направление которого определяется поляризацией. Решена задача с туннельными контактами, установлено, что при несимметричном освещении приконтактных областей, спин-поляризованный ток затекает в контакт. Выведена формула для тока в зависимости от интенсивности внешнего излучения W.
Для цитирования
Каладжян В.О., Артеменко C.Н. Фотогальванический эффект в двумерном топологическом изоляторе с туннельными контактами // Нелинейный мир. 2014. № 2. С. 49–50.
Список источников
- McIver J.W. et al. Control over topological insulator photocurrents with light polarization // Nature Nanotechnology Letters. 2012. V. 7. P. 96-100.
- Artemenko S.N., Kaladzhyan V.O. Photogalvanic effects in topological insulators // ПисьмавЖЭТФ. 2013. V. 97. P. 88.
- Junck A., Refael G., von Oppen F. Photocurrent Response of Topological Insulator Surface States // arXiv:1301.4392. 2013.
- Kopnin N.B., Melnikov A.S. Proximity-induced superconductivity in two-dimensional electronic systems // Physical Review. 2011. B 84. 064524.