Название статьи или книги, фамилия автора, DOI

Усиление терагерцевого излучения в плазмоном кристалле с асимметричной элементарной ячейкой на постоянном токе

Д.В. Фатеев1, В.В. Попов2, С.А. Никитов3

научная статья Страницы: 51-52

  1. 1 к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник СГУ им. Н. Г. Чернышевского
  2. 2 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; вед. науч. сотрудник СГУ им. Н.Г. Чернышевского
  3. 3 д.ф.-м.н., зам. директора, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; зав. лабораторией СГУ им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация

Вычислено плазмонное усиление терагерцевого излучения в плазмоном кристалле с асимметричной элементарной ячейкой; показано, что плазмонное усиление терагерцового излучения с использованием высших плазмонных мод возможно при относительно низких значениях постоянного тока дрейфа электронов.

Для цитирования

Фатеев Д.В., Попов В.В., Никитов С.А. Усиление терагерцевого излучения в плазмоном кристалле с асимметричной элементарной ячейкой на постоянном токе // Нелинейный мир. 2014. № 2. С. 51–52.

Список источников

  1. Dyakonov M., Shur M. Shallow water analogy for a ballistic field effect transistor: new mechanism of plasma wave generation by dc current // Phys. Rev. Lett. 1993. V. 71. 2465 p.
  2. Фатеев Д. В., Попов В. В., ShurM. S. Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. 1455 c.