Фотогальванический эффект вследствие оптических переходов между краевыми и объемными состояниями в топологическом изоляторе HgTe/CdTe
- 1 к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
- 2 аспирант, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
- 3 д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
Аннотация
Исследованы оптические переходы (терагерцевый диапазон) между краевыми и объемными состояниями в двумерном топо-логическом изоляторе HgTe/CdTe. Показано, что наличие электронно-дырочной асимметрии приводит к зависимости вероятности переходов от спина, что, в свою очередь, приводит к возникновению фототока в краевом состоянии.
Для цитирования
Асеев П.П., Каладжян В.О., Артеменко С.Н. Фотогальванический эффект вследствие оптических переходов между краевыми и объемными состояниями в топологическом изоляторе HgTe/CdTe // Нелинейный мир. 2016. № 1. С. 12–14.
Список источников
- Konig M., Buhmann H. et al. The quantum spin Hall effect: theory and experiment // J. Phys. Soc. Jpn 77. 031007. 2008.
- Diehl H., Shalygin V.A. et al. Nonlinear magnetogyrotropic photogalvanic effect // Physical Review B. 88. 045414. 2013.
- Bernevig B.A., Hughes T.L., Zhang S.-C. Quantum spin Hall effect and topological phase transition in HgTe quantum wells // Science 314. 1757. 2006.