Особенности проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных полупроводниковых СБИС
- 1 вед. специалист, ЗАО «СКАН»
- 2 зам. генерального директора, ЗАО «СКАН»
- 3 генеральный директор, ЗАО «СКАН»
- 4 начальник отдела, ЗАО «СКАН»
Ключевые слова:
наноэлектроникатехнология проектированиясбисфотошаблоныоптическая коррекциялитография
Аннотация
Рассмотрены вопросы технологии проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных структур СБИС с применением средств САПР; рассмотрены методы повышения разрешающей способности фотошаблонов, сформированы критерии оценки качества и производительности процесса проектирования фотошаблонов.
Для цитирования
Корнюхин А.В., Курдюков С.А., Ланцев А.Н., Старилов М.В. Особенности проектирования фотошаблонов для производства наноразмерных полупроводниковых СБИС // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2012. № 2. С. 26–35.
Список источников
- Levinson H. J. Principles of lithography // SPIE. 2005.
- Nishi Y., Doering R. Handbook of Semiconductor manufacturing technology. Marcel Decker Inc. 2000.
- Kaeslin H. Digital Integrated Circuits: From VLSI Architectures to CMOS Fabrication. Cambridge University Press, 2008.
- International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) reports. 2000-2007.
- Cui Z. Nanofabrication: Principles, Capabilities and Limits. Springer Science. 2008. Р. 218-225.
- Jaeger R.C. Lithography. Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002.
- Liebmann L.W. Layout Impact of Resolution Enhancement Techniques, SemiconductorResearch and Development Center // IBM Corporation. 2003. Р. 110-117.