Физические характеристики КНИ транзисторов для наноэлектроники
Аннотация
Рассмотрены физические характеристики и задачи, которые следует учитывать при моделировании КНИ (SOI)-нанотран¬зисторов с уменьшающимися до порядка 10 нм размерами активных областей, включая особенности транспорта носителей и квантовых эффектов.
Для цитирования
Горячев В.А. Физические характеристики КНИ транзисторов для наноэлектроники // Успехи современной радиоэлектроники. 2008. № 7.