Research of influence of the microwave plasma micromachining on nanostructuring carbon on silicon (100) crystals
- 1 ст. инженер, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 д.т.н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Abstract
It is established that after plasma micromachining in freon superficial density it is less, than after processing in argon, and they increase with temperature growth for freon and decreases for argon. It is shown that such nature of dependences testifies to existence of a precursor chemisorptions and is caused by various power of adsorption of carbon on the plates of the silicon which have passed preliminary micromachining in various chemically active environments.
How to cite
Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Исследование влияния СВЧ плазменной микрообработки на аноструктурирование углерода на кристаллах кремния (100) // Нелинейный мир. 2013. № 2. С. 124–125.
References
- Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука. 2006.
- Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Получение атомарно-чистых поверхностей кремния в низкоэнергетичной СВЧ-плазме низкого давления // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 12. С. 73-78.
- Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Особенности наноструктурирования субмонослойных покрытий углерода, осажденных на поверхность монокристаллов кремния в низкотемпературной плазме СВЧ разряда // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 8. С. 76-82.