The capacitance - voltage characteristics of planar nanostructures based on ferroelectric films
- 1,2,3 студент, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 4 к.т.н, м.н.с., Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
- 5 магистр, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
Abstract
The capacitance-voltage (CV) dependencies of planar nanostructures involving PZT film with different thicknesses are studied. The films are prepared by sol -gel techniques on Si/SiO2/TiO2/Pt substrates. These structures are used for different kinds of functional heterostructures of integrated circuits.
How to cite
Горбунов Э.А., Лавров П.П., Першин В.А., Серегин Д.С., Хабаров И.А. Вольт-фарадные характеристики планарных наноструктур на основе сегнетоэлектрических пленок // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2012. № 1. С. 18–20.
References
- Izyumskaya N., Alivov Y. -I., Cho S. -J., et al. Processing, structure, properties, and applications of PZT thin films // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2007. V. 32. Р. 111-202.
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегри¬рованные сегнетоэлектрические устройства: Моногра¬фия / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011.
- Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС на свойства петель гистерезиса // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. М.: МИРЭА-РАН. 2011. Т. 1. С. 59-63.
- Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // Journal of Applied Physics. 2006. V. 100. Р. 051607.
- Pintilie L., Vrejoiu I., Hesse D., Alexe M. The influence of the top-contact metal on the ferroelectric properties of epitaxial ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films // Journal of Applied Physics. 2008. V. 104. Р. 114101.