Л.А. Морозова, С.В. Савельев

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН  (г. Фрязино, Московск. обл., Россия)

Л.А. Морозова1, С.В. Савельев2

1,2 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

И.А. Сидоров1, Г.А. Гудков2, Е.П. Новичихин3, С.В. Агасиева4, А.С. Черников5, С.В. Чижиков6

1–3,5,6 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)
3 Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
(г. Фрязино, Московская обл., Россия)
4 Российский университет дружбы народов им. Патриса Лумумбы (Москва, Россия)
6 ООО «НПП «Технологические инновации» (Москва, Россия)
1 igorasidorov@yandex.ru, 2 ggudkov967@gmail.com, 3 epnov@mail.ru, 4 agasieva-sv@rudn.ru, 5 chernik@bmstu.ru, 6 chigikov95@mail.ru