Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову high electron mobility transistor
Транзисторы на основе гетероструктур GAN/ALGAN для оборудования WIMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX
В.А. Буробин - к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.М. Коновалов - зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар». E-mail: openline@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Исследование и моделирование явления «мягкого пробоя» в СВЧ HEMT на основе нитрида галлия

В.Г. Тихомиров к.т.н., доцент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail: vv11111@yandex.ru

М.К. Попов – студент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail:mat68rus@mail.ru

Г.А. Гудков – лаборант, 

ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва)

E-mail: ooo.giperion@gmail.com

Исследование возможности улучшения чувствительности биосенсоров на основе нитрид-галлиевой наногетероструктуры транзистора с высокой подвижностью электронов для использования в составе многопараметрического инвазивного комплекса

В.Г. Тихомиров1, Г.А. Гудков2, С.В. Агасиева3

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)
2 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)
3 инженерная академия, Российский Университет Дружбы Народов имени Патриса Лумумба (Москва, Россия)
1 greenbob53@gmail.com, 3 agasieva-sv@rudn.ru