Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову double gate soi cmos nanotransistor
Пороговые характеристики двухзатворных симметричных полевых нанотранзисторов с гауссовским вертикальным профилем легирования
Н.В. Масальский - к.ф-м.н, зав. сектором, Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (Москва). Е-mail: volkov@niisi.ras.ru