Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову pHEMT
Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии

С.В. Чижиков¹, В.Г. Тихомиров², Г.А. Гудков³

  1. Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана 

  (Национальный исследовательский университет) (Москва, Россия) 

  1. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)   (Санкт-Петербург, Россия)
  2. ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

1 chigikov95@mail.ru, 2 vv11111@yandex.ru, 3 ooo.giperion@gmail.com

Разработка монолитной интегральной схемы СВЧ-переключателя на основе GaAs pHEMT-технологии

Д.В. Клименко1, А.Б. Никитин2, А.А. Строганов3, И.А. Цикин4

1 ООО «Специальный технологический центр» (Санкт-Петербург, Россия)

2-4 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург, Россия)

1 devklimenko@stc-spb.ru; 2 nikitin@mail.spbstu.ru; 3 stroganov.aa@edu.spbstu.ru; 4 tsikin@mail.spbstu.ru

Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона частот 5−10 ГГц

Д.В. Кантюк1, С.И. Толстолуцкий2, К.А. Хара3

1–3 ФГУП «РНИИРС» (г. Ростов-на-Дону, Россия)

1 Kantyuk_dv@mail.ru, 2tolstolutsky_si@mail.ru