С. А. Кузнецов - науч. сотрудник, Аналитико-технологический инновационный центр «Высокие технологии и новые материалы», Новосибирский государственный университет; вед. инженер Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН и филиала Института физики полупроводников СО РАН «КТИПМ» E-mail: SAKuznetsov@nsm.nsu.ru М. A. Астафьев - аспирант, Новосибирский государственный университет; лаборант-исследователь, Аналитико-технологи¬ческий инновационный центр «Высокие технологии и новые материалы», Новосибирский государственный университет Е. A. Лоншаков - инженер, Аналитико-технологический инновационный центр «Высокие технологии и новые материалы», Новосибирский государственный университет А. В. Аржанников - д.ф.-м.н., профессор, заведующий Аналитико-технологическим инновационным центром «Высокие тех-нологии и новые материалы», Новосибирский государственный университет; гл. науч. сотрудник, Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН E-mail: A.V.Arzhannikov@inp.nsk.su

А.С. Самодуров - к.т.н., доцент, кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры, Воронежский государственный технический университет. E-mail: unaxel2000@mail.ru

Г.Р. Сагателян1, К.Н. Бугорков2, А.Б. Соломашенко3, А.С. Кузнецов4

1–4 МГТУ им. Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет) (Москва, Россия)