Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову deep levels
Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой, Воронежский государственный университет А.В. Иванцов - к.т.н., преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент, Воронежский государственный университет
Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: korovchenko@vsu.ru Ю.Н. Нестеренко- к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: nesterenko@phys.vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: uskov@phys.vsu.ru
Метод определения скоростей рекомбинации носителей заряда в активных слоях гетеропереходного солнечного HIT-элемента

А.Д. Маслов – мл. науч. сотрудник,  кафедра «Микро- и наноэлектроника», Рязанский государственный радиотехнический университет им. В.Ф. Уткина E-mail: Maslov.a.d@mail.ru

Н.В. Вишняков – к.т.н., доцент,  кафедра «Микро- и наноэлектроника», Рязанский государственный радиотехнический университет им. В.Ф. Уткина E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru; rcpm@rsreu.ru