Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову нитрид галлия
Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
Современное состояние и перспективы развития СВЧ-приборов и устройств в ОАО «Светлана»
В. В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru
Исследование и моделирование явления «мягкого пробоя» в СВЧ HEMT на основе нитрида галлия

В.Г. Тихомиров к.т.н., доцент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail: vv11111@yandex.ru

М.К. Попов – студент, 

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова

E-mail:mat68rus@mail.ru

Г.А. Гудков – лаборант, 

ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва)

E-mail: ooo.giperion@gmail.com

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Модернизация квазимонолитного усилителя мощности СВЧ-диапазона

В.А. Иовдальский1, Н.В.Ганюшкина2, В.П. Марин3, И.Н. Аюпов4, П.А. Сторин5

1,2,4,5 АО «НПП «Исток» им. Шокина» (Моск. обл., г. Фрязино, Россия)
3 Российский технологический университет (РТУ) МИРЭА (Москва, Россия)
 

Исследование возможности улучшения чувствительности биосенсоров на основе нитрид-галлиевой наногетероструктуры транзистора с высокой подвижностью электронов для использования в составе многопараметрического инвазивного комплекса

В.Г. Тихомиров1, Г.А. Гудков2, С.В. Агасиева3

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)
2 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)
3 инженерная академия, Российский Университет Дружбы Народов имени Патриса Лумумба (Москва, Россия)
1 greenbob53@gmail.com, 3 agasieva-sv@rudn.ru