В.И. Джиган1

1 Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (Москва, г. Зеленоград, Россия)

В. А. Сергеев1
1 Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород, Россия)

О. В. Болховская1, В. А. Сергеев2, А. А. Мальцев3
1–3 Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (г. Нижний Новгород, Россия)