350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №2 за 2017 г.
Статья в номере:
Подавление паразитной генерации в ГИС СВЧ выходного каскада усилителей мощности
Ключевые слова: высокочастотная паразитная генерация ГИС СВЧ-диапазона с двухъярусным расположением кристаллов ПТШ усилители мощности сложение мощности
Авторы:
В.А. Иовдальский - д.т.н., зав. лабораторией, АО «НПП «Исток» им. Шокина» (г. Фрязино, Моск. обл.); доцент, Московский технологический университет (МИРЭА) В.П. Марин - академик АПК, д.т.н., профессор, Московский технологический университет (МИРЭА) В.С. Серегин - д.т.н., ген. директор - ген. конструктор, ЗАО «НПО «НИИТАЛ» (Москва) И.А. Соколов - к.т.н., ген. директор - ген. конструктор, АО «НИИ «Микроприбор» им. Г.Я. Гуськова (Москва) В.В. Кузнецов - к.т.н., доцент, зав. кафедры оптико-электронных приборов и систем, Московский технологический университет (МИРЭА)
Аннотация:
Рассмотрено решение проблемы подавления высокочастотной паразитной генерации в гибридных интегральных схемах СВЧ-диапазона с двухъярусным расположением кристаллов полевых транзисторов с диодами Шоттки путем уменьшения длины соединений за счет объединения в группу из четырех кристаллов.
Страницы: 20-22
Список источников

 

  1. Гаврилов И.А., Былкин В.И., Карпов Ю.В. Научно-технич. отчет № 9-9176 «Разработка линейных транзисторных усилителей СВЧ с выходной мощностью 0,7 Вт в диапазонах частот 1-2 и 2-4 ГГц с коэффициентом усиления не менее 33 дБ». 2001.
  2. GaN НЕМТ с выходной мощностью 140 Вт в диапазоне 5 ГГц // Новости СВЧ-техники. 2006. № 7. С. 5−8. (13th GаAs Symposium Digest. Paris. 2005.).
  3. Иовдальский В.А. Новая концепция сложения мощности кристаллов ПТШ в ГИС усилителей мощности СВЧ-диапазона // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2006. № 1(487). С. 44−51.
  4. Иовдальский В.А. Подавление паразитной генерации в ГИС СВЧ усилителей мощности // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2010. № 4(507). С. 72−75.
  5. GaN-усилитель с выходной мощностью 200 Вт в С-диапазоне // Новости СВЧ-техники. 2009. № 5. С. 8−10. (IEEE MTT-S Digest. 2007. P. 1251−1254.).
  6. Иовдальский В.А., Лапин В.Г., Пчелин В.А. Двухъярусная транзисторная сборка для усилителей мощности СВЧ-диапазона // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2009. № 4(503). С. 38−41.
  7. Иовлальский В.А., Пчелин В.А., Лапин В.Г. Составной двухъярусный транзистор для усилителей мощности СВЧ-диапазона.
  8. Пат. РФ № 2541725, приоритет от 23.07.2013. Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора СВЧ / Иовдальский В.А., Дудинов К.В., Моргунов В.Г., Кудрова Т.С.; МПК Н01 L 23/48, зарегистр. в Гос. реестре изобретений РФ 15.01.2015.