350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
Диагностика дефектов ячеек энергонезависимой памяти методом контактной сканирующей емкостной микроскопии
Ключевые слова: контактная сканирующая емкостная микроскопия дефекты ячеек энергонезависимой памяти сканирующая зондовая микроскопия высокочастотные C V характеристики кантилевер
Авторы:
Ю.Л. Шиколенко - аспирант, Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА)
Аннотация:
Проведены исследования зависимости чувствительности измерений методом контактной сканирующей емкостной микроскопии от радиуса зонда кантилевера и материала его проводящего покрытия. Определено разрешение методики контактной сканирующей емкостной микроскопии по уровню детектируемого заряда и латеральное разрешение методики при проведении диагностики дефектов ячеек энергонезависимой памяти.
Страницы: 26-29
Список источников

 

  1. Bloom I., Pavan P., Eitan B. NROM - A New Non-Volatile Memory Technology: From Device to Products // Microelectronic Engineering. November 2001. V. 59. P. 213−223.
  2. Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash / Edited by J.E. BrewerandM. Gill. InstituteofElectricalandElectronicsEngineers. Inc. 2008. P. 445−591.
  3. Инструкция «Контактная Сканирующая Емкостная Микросокпия» [Электронный ресурс] // Компания НТ МДТ [Официальный сайт].URLhttp://www.ntmdt.ru/support.html (дата обращения: 1.04.2015).
  4. Sacha G., Verdaguer A., Martines J., Ogletree D., Saenz J., Salmeron M. Effective tip radius in electrostatic force microscopy // Appl Phys Lett. 2005. 86:123101. doi:10.1063/1.1884764.