350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №2 за 2012 г.
Статья в номере:
Совершенствование конструкции магнетронного реактора для травления материалов в низкотемпературной плазме
Ключевые слова: магнетронный реактор низкотемпературная плазма
Авторы:
С.Б. Беневоленский - д.т.н., профессор, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского. E-mail: electron_inform@mail.ru Е.В. Жалнова - ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского. E-mail: electron_inform@mail.ru В.И. Кубрин - к.т.н., доцент, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского. E-mail: electron_inform@mail.ru Е.В. Марсова - д.т.н., доцент, ГОУ ВПО «МАТИ» - Российский государственный технологический университет имени К.Э. Циолковского. E-mail: electron_inform@mail.ru
Аннотация:
Проведена оптимизация оборудования для вакуумно-плазменных процессов, проходящих в магнетронном реакторе для травления материалов в низкотемпературной плазме. Показано, что отличием подхода, внедряемого авторами, является совершенствование конструкции магнетронного реактора с замкнутым дрейфом электронов вокруг электрода-подложкодержателя
Страницы: 16-19
Список источников
  1. Таран В.М., Орлов В.И. Оборудование для плазменной обработки материалов изделий электронной техники. М.: ЦНИИ «Электроника». 1987.
  2. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа. 1987.
  3. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесе¬ния тонких пленок. М.: Энергоатомиздат. 1989.
  4. Смирнов Б.М. Введение в физику плазмы. М.: Наука. 1982.
  5. Русанов В.Д., Фридман А.А. Физика химически активной плазмы. М.: Наука. 1984.
  6. Патент США №4441974, кл. НКИ 204/192.
  7. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов: изд. 10 перераб. М.: Наука. 1999.