350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №9 за 2011 г.
Статья в номере:
Влияние смещения валентных зон на проявление тензорезистивного эффекта в алмазных структурах с P-проводимостью
Ключевые слова: тензорезистивный эффект расщепление валентной зоны деформация
Авторы:
Аунг Тура - аспирант, кафедра программного обеспечения, информационных технологий и прикладной математики, КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана С.В. Рыбкин - к.ф.-м.н., доцент, кафедра программного обеспечения, информационных технологий и прикладной математики, КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: srs@umail.ru
Аннотация:
Проведено моделирование влияния смещения валентной зоны алмаза в результате деформации вдоль оси [001] на проявление тензорезистивного эффекта. Установлены закономерности процессов, сопутствующих смещению зон легких и тяжелых дырок при растяжении. Полученные результаты хорошо соответствуют имеющимся экспериментальным данным.
Страницы: 58-60
Список источников
  1. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука. 1972. 584 с.
  2. Вавилов В.С., Конорова Е.А. Полупроводниковые алмазы // Успехи физических наук. 1976. Т.118(4). С.611 - 639.
  3. CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors. Edited by Ricardo S. Sussmann: John Wiley & Sons. 2009. 571 с.
  4. Markus Gabrysch. Electronic properties of diamond. Uppsala University. 2008. 58 с.
  5. Fang L., Wang W.L., Ding P.D. et al. Study on the PR effect of crystalline and polycrystalline diamond under uniaxial strains // J. Appl. Phys. 1999. V. 86(9). P. 5185 - 5193.
  6. Fang L., Wang W.L., Ding P.D. et al. Study on the PR effect in p-type polycrystalline diamond // Science in China. 1999. V. 42(7). P.769 - 778.
  7. Kong Chunyang, Wang Shuxia, Fang Liang. The theoretical studies of piezoresistive effect in diamond films // Science in China (Series A). 2002. V.45(1). P.107 - 114.