350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №6 за 2004 г.
Статья в номере:
Формирование микродефектной структуры полупроводникового кремния
Авторы:
Таланин В.И., Таланин И.Е., Левинзон Д.И.
Аннотация:
С помощью просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования монокристаллов кремния, полученных методом Чохральского в вакансионном режиме роста; установлено, что дефекты в области OSF-кольца имеют межузельный характер, а в области внутри OSF-кольца сосуществуют дефекты межузельного и вакансионного типов.