350 rub
Journal Science Intensive Technologies №6 for 2004 г.
Article in number:
Authors:
Таланин В.И., Таланин И.Е., Левинзон Д.И.
Abstract:
С помощью просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования монокристаллов кремния, полученных методом Чохральского в вакансионном режиме роста; установлено, что дефекты в области OSF-кольца имеют межузельный характер, а в области внутри OSF-кольца сосуществуют дефекты межузельного и вакансионного типов.