350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №2 за 2003 г.
Статья в номере:
Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства
Авторы:
Козлов С.А., Сажин М.В., Петрухин И.О., Сидоров О.Л., Аганичев М.П., Потолоков Н.А.
Аннотация:
Изложены результаты исследований по разработке технологии переработки отходов галлия, отходов производства монокристаллов и пластин арсенида и фосфида галлия, а также эпитаксиальных структур и чипов светодиодных структур на их основе с целью получения высокочистого галлия.