350 rub
Journal Science Intensive Technologies №2 for 2003 г.
Article in number:
Authors:
Козлов С.А., Сажин М.В., Петрухин И.О., Сидоров О.Л., Аганичев М.П., Потолоков Н.А.
Abstract:
Изложены результаты исследований по разработке технологии переработки отходов галлия, отходов производства монокристаллов и пластин арсенида и фосфида галлия, а также эпитаксиальных структур и чипов светодиодных структур на их основе с целью получения высокочистого галлия.