Р.И. Зудов – ассистент, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

В.А. Сороцкий – д.т.н., профессор, доцент, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Рассмотрены особенности построения ключевых усилителей мощности ВЧ-диапазона и определены требования, предъявляемые к их элементной базе. Проведен анализ свойств полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении мощных ключевых транзисторов. Показано, что мощные МОП-транзисторы, изготовленные из новых материалов, способны обеспечить высокое значение КПД в усилителях мощности ВЧ-диапазона.

1. Grebennikov A., Socal N.O. Switchmode RF power amplifiers. New York: Elsevier. 2007. 443 p.
2. Kazimierczuk M.K. RF Power Amplifiers. Chichester:John Wiley Sons. 2014.
3. Matsuo M., Sekiya H., Suetsugu Т., Shinoda K., Mori S. Design of a high-efficiency class DE tuned power oscillator // IEEE Transactions on Circuits and Systems. 2000. Part I. V. 47. № 11. P. 1645−1649.
4. Sekiya H., Wei X., Nagashima T., Kazimierczuk M.K. Steady state analysis and design of class-DE inverter at any duty ratio // IEEE Trans. Power Electron. July 2015. V. 30. № 7. P. 3685−3694.
5. Alipov A., Kozyrev V. Push/pull class-DE switching power amplifier // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 2002. V. 3. P. 1635−1638.
6. Kozyrev V.B. Class E amplifiers with a parallel filtering circuit // Proceedings of the 2nd IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications. M.: 2004.
7. Martin A.L., Mortazawi A. A class-E power amplifier based on an extended resonance technique // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2000. V. 48. № 1. P. 93−97.
8. Inoue K., Nagashima T., Wei X., Sekiya H. Design of highefficiency inductive-coupled wireless power transfer system with class DE transmitter and class-E rectifier // Proc. IEEE IndustriaL Electronics Society. Austria. November 2013. P. 613−618.
9. Kondo T., Koizumi H. Class DE voltage-source parallel resonant inverter // 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON). 2015. P. 2968−2973.
10. Лебедев А.А., Козловский В.В., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Иванов А.М., Стрельчук А.М., Якимова Р. Радиационная стойкость широкозонных полупроводников // Физика и техника полупроводников (СПб). 2002. Т. 36. С. 1354−1359.
11. Zudov R.I., Sorotsky V.A. Evaluation of efficiency class DE power amplifier in the frequency band // International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE). 2016. V. 2. P. 1−8.
12. Tiwari S., Langelid J.K., Midtgard O.M., Undeland T.M. Hard and soft switching losses of a SiC MOSFET module under realistic topology and loading conditions // 19th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'17 ECCE Europe). 2017. P. 1−10.