Д.А. Усанов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой физики твердого тела, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, академик РАЕН, Засл. деятель науки РФ. E-mail: UsanovDA@info.sgu.ru А.В. Скрипаль - д.ф.-м.н., профессор, кафедра физики твердого тела, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: Skripala_v@info.sgu.ru Д.В. Пономарев - к.ф.-м.н., доцент, кафедра физики твердого тела, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: Ponomarev87@mail.ru Е.В. Латышева - аспирант, кафедра физики твердого тела, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского. E-mail: Ekatushka@list.ru

Теоретически и экспериментально обоснован высокочувствительный СВЧ-метод измерения толщин нанометровых металлических слоев, нанесенных на диэлектрические пластины, по частотным зависимостям коэффициента прохождения электромагнитной волны в случае возникновения волноводно-диэлектрического резонанса при размещении структуры перпендикулярно широким и под углом к узким стенкам волновода симметрично относительно его продольной оси.

 

1. Гершензон Е.М., Литвак - Горская Л.Б., Плохова Л.А., 3арубина Т.С. Методы определения параметров полупроводников и полупроводниковых пленок на СВЧ // В кн. «Полупроводниковые приборы и их применение» / Под ред. E.А. Федотова. М.: 1970. № 23. С. 3−48.
2. Усанов Д.А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та. 1985. 55 с.
3. Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ // Дефектоскопия. 1978. № 11. С. 63−87.
4. Asfar M.N., Birch J.R., Clarke R.N. The Measurement of the Properties of Materials // Proc. IEEE. 1986. V. 74. № 1. P. 183−199.
5. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Эффекты ближнего поля в электродинамических системах с неоднородностями и их использование в технике СВЧ. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та. 2011. 392 с.
6. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения // ЖТФ. 2006. Т. 76. № 5. С. 112−117.
7. Dmitry Usanov, Alexander Skripal, Anton Abramov, Anton Bogolubov, Vladimir Skvortsov, Merdan Merdanov. Measurement of the Metal Nanometer Layer Parameters on Dielectric Substrates using Photonic Crystals based on the Waveguide Structures with Controlled Irregularity in the Microwave Band // Proc. of 37rd European Microwave Conference. Munich, Germany. 8−12 October 2007. P. 198−201.
8. Никитов С.А., Гуляев Ю.В., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометровых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов // Доклады Академии Наук. Январь 2013. Т. 448. № 1. С. 35−37.
9. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Многопараметровые измерения эпитаксиальных полупроводниковых структур с использованием одномерных сверхвысокочастотных фотонных кристаллов // Радиотехника и электроника. 2016. Т. 61. № 1. С. 45−53.
10. Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. СВЧ фотонные кристаллы. Новые сферы применения// Известия Саратовского ун-та. Новая серия. Сер. 1: Физика. 2015. Т. 15. № 1. С. 57−73.
11. Yablonovitch E., Gimitter T.J., Meade R.D., et al. Donor and acceptor modes in photonic band structure // Phys. Rev. Lett. Dec. 1991. V. 67. № 24. P. 3380.
12. Belyaev B.A., Voloshin A.S., Shabanov V.F., Study of Q-factor of impurity mode resonance in microstrip model of 1D-photonic crystal // Doklady Physics (Doklady Akademii Nauk). 2005. V. 403. № 3. P. 319.
13. Шестопалов В.П., Кириленко А.А., Рудь Л.А. Резонансное рассеяние волн. Т. 2: Волноводные неоднородности. Киев: Наукова Думка. 1986. 216 с.
14. Занин В.И., Усанов Д.А., Феклистов В.Б. Определение электрофизических параметров полупроводника волноводным резонансным методом // Межвузовский сб. научных статей «Электродинамика слоисто-неоднородных структур СВЧ». Самара: Изд-во Самарского ун-та. 1995. С. 88−99.