350 руб
Журнал «Радиотехника» №10 за 2016 г.
Статья в номере:
Прогнозирование механизмов управления электронной структурой гофрированных графеновых нанолент
Ключевые слова: графеновые наноленты armchair гофрированность электронная структура плотность электронных состояний уровень Ферми энергетическая щель структурные дефекты
Авторы:
О.Е. Глухова - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой радиотехники и электродинамики, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: GlukhovaOE@info.sgu.ru В.В. Митрофанов - аспирант, кафедра радиотехники и электродинамики, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: ip.boyar@gmail.com И.Н. Салий - д.ф.-м.н., профессор, кафедра радиотехники и электродинамики, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: sin@sgu.ru М.М. Слепченков - к.ф.-м.н., доцент, кафедра радиотехники и электродинамики, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: slepchenkovm@mail.ru В.В. Шунаев - аспирант, кафедра радиотехники и электродинамики, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: vshunaev@list.ru
Аннотация:
Проведен поиск эффективных способов управления электронной структурой гофрированных графеновых нанолент armchair. Рассмотрено несколько типов модификаций атомного строения гофрированных нанолент, наиболее часто встречающихся в реальном эксперименте. Для каждой из рассмотренных модификаций рассчитано распределение плотности электронных состояний и определен тип проводимости графеновой ленты. В ходе исследования установлено, что, изменяя концентрацию дефектов Стоуна-Уэлса в атомной сетке графена, можно добиться изменения положения уровня Ферми, определяющего величину работы выхода материала. Выявлено, что наиболее эффективным способом управления проводимостью гофрированных графеновых нанолент является хемосорбция атомов кислорода.
Страницы: 230-234
Список источников

 

  1. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S.V., Grigorieva I.V., Firsov A.A. Electric field effect in atomically thin carbon films // Science. 2004. V. 306. P. 666−669.
  2. Geim A.K., Novoselov K.S. The rise of graphene // Nat. Mater. 2007. V. 6. P. 183−191.
  3. Geim K. Graphene: Status and Prospects // Science. 2009. V. 324. P. 1530−1534.
  4. Lee W.X., Kysar J.W., Hone J. Measurement of the elastic properties and intrinsic strength of monolayer graphene // Science. 2008. V. 321. P. 385−388.
  5. Ponomarenko L.A., Schedin F., Katsnelson M.I., Yang R., Hill E.W., Novoselov K.S., Geim A.K. Chaotic Dirac billiard in graphene quantum dots // Science. 2008. V. 320. P. 356−358.
  6. Wu J.S., Pisula W., Mullen K. Graphene Molecules as Potential Material for Electronics // Chem. Rev. 2007. V. 107. P. 718−747.
  7. Schedin F., Geim A.K., Morozov S.V., Hill E.W., Blake P., Katsnelson M.I., Novoselov K.S. Detection of individual gas molecules adsorbed on graphene // Nat. Mater. 2007. V. 6. P. 652−655.
  8. Zhang H., Lv X., Li Y., Wang Y., Li J. P25-graphene composite as a high performance photocatalyst // ACS Nano. 2010. V. 4. P. 380−386.
  9. Kim K.S., Zhao Y., Jang H., Lee S.Y., Kim J.M., Kim K.S., Ahn J.H., Kim P., Choi J.Y., Hong B.H. Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes // Nature. 2009. V. 457. P. 706−710.
  10. Wang X., Zhi L.J., M¨ullen K. Transparent, conductive graphene electrodes for dye-sensitized solar cells // Nano Lett. 2008. V. 8. P. 323−327.
  11. Aitken Z.H., Huang R. Effects of mismatch strain and substrate surface corrugation on morphology of supported monolayer graphene // Journal of Applied Physics. 2010. V. 107. № 123531. P. 1−10.
  12. Bao W., Miao F., Chen Z., Zhang Z., Jang W., Dames C.C., Lau N. Controlled ripple texturing of suspended graphene // Nature Nanotechnology. 2009. V. 4. P. 562−566.
  13. Aradi B., Horahine B., Frauenheim Th., DFTB+, a Spanse Matrix-Based Implementation of the DFTB Method // J. Phys. Chem. A. 2007. V. 111. P. 5578−5684.
  14. URL = http://nanokvazar.ru/ (14.03.2016).