350 руб
Журнал «Радиотехника» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах
Авторы:
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com Ю.С. Кузьмичев - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru
Аннотация:
Сформулированы основные требования к параметрам МИС СВЧ-переключателей на SiC pin-диодах. Рассмотрено влияние ос-новных дестабилизирующих факторов (перепадов температуры и ИИ), свойственных космическому пространству, на параметры SiC pin-диода. Приведены зависимости основных параметров образцов МИС СВЧ-переключателей на SiC pin-диодах.
Страницы: 110-112
Список источников

 

  1. Лебедев А., Сбруев С.SiC Электроника // Электроника Наука Технология Бизнес. 2006. № 523‑41.
  2. Басанец В., Беляева А.и др. // Техпика и приборы СВЧ. 2011. № 2. С. 26−28.
  3. Nakatsuka, Tomonoriet al. // Materials Trasations. 2002. V. 43. № 7. P. 1684−1688.
  4. Бланк Т.В., Гольберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. № 11. С. 1281−1308.
  5. Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В.и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 4. С. 504−511.
  6. Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. М.: Сайнс-пресс. 2008. 336 с.
  7. Pucel R.A. Design considerations for monolithic microwave circuits // IEEE Trans. V. MTT-29. № 6. P. 513−534.
  8. Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Морозов А.А.и др. Монолитные аналоговые интегральные схемы СВЧ диапазона // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1981. № 4. С. 3−44.
  9. Вьюгинов В.Н., Волков В.В., Гудков А.Г.и др. Разработка карбид-кремниевых PIN-диодов для мощных защитных устройств, эксплуатируемых в аппаратах космического назначения // Материалы 25-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо-2015). Севастополь. 2015. С. 849−850.