350 руб
Журнал «Радиотехника» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры
Ключевые слова: малошумящий усилитель монолитная интегральная схема чувствительность помехоустойчивость функ-циональные характеристики
Авторы:
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана А.А. Зыбин - начальник лаборатории, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: zybin_aa@svetlana-ep.ru П.А. Шаганов - инженер-конструктор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: shaganov_wrk@mail.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com
Аннотация:
Сформулированы основные требования к параметрам малошумящих усилителей (МШУ). Приведены результаты исследования кинетики функциональных характеристик МИС МШУ под действием перепадов температуры.
Страницы: 107-109
Список источников

 

  1. Гудков А.Г., Кирпиченков А.И., Козлов П.С. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 30. Элементная база транзисторных МШУ в МИС. Машиностроитель. 2012. № 8. С. 15−18.
  2. Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В. Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона 8-12 ГГц на основе GaAspHEMT-технологии // Материалы докладов Междунар. научно-практической конф. «Электронные средства и системы управления»  (10−11 ноября 2011). Томск: В‑Спектр. 2011. С. 53−57.
  3. Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего pHEMT транзистора с применением САПР MicrowaveOffice // Вестник НовГУ. Сер. Технические науки. 2012. № 68. С. 41−45.
  4. Quay R.et al. Efficient AlGaN/GaN HEMT Power Amplifiers // Proceedings of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference. Amsterdam. Oct. 2008. P. 87.