А.В. Смирнов – ст. науч. сотрудник,
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва)
И.Е. Кузнецова – д.ф.-м-н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва),
e-mail: andre-smirnov-v@yandex.ru
Постановка проблемы. Отклик резистивного сенсора газа появляется за счет того, что при адсорбции на поверхности полупроводникового слоя частиц, которые могут захватывать носители заряда из объема, меняется сопротивление слоя. Величина отклика зависит от отношения площади поверхности к объему. Процесс роста полупроводниковой пленки и формирования морфологии ее поверхности можно условно разделить на два этапа: 1) формирование пленки – зародышеобразование; 2) разращивание зародышей. Разделение этих этапов технологически дает возможность управлять свойствами формируемой пленки.
Цель. Выяснить возможность управления плотностью и размерами зародышей на первом этапе формирования путем ионной стимуляции в процессе роста островковой пленки олова.
Результаты. Установлено, что при обработке в ходе нанесения островковой пленки олова потоком распыляющих атомов и молекул с низким коэффициентом распыления, но с высокой плотностью потока (по сравнению с плотностью потока частиц осаждаемого вещества) наблюдается эффект уменьшения разброса размеров островков осаждаемого вещества.
Практическая значимость. Управление размером зародышей на первом этапе позволяет управлять размером зерен, плотностью и пористостью пленки, получаемой на втором этапе формирования, а следовательно, менять отношение площади поверхности пленки к ее объему и электрофизические и газочувствительные свойства, зависящие от этого отношения.
- Смирнов А.В. и др. Отклик газочувствительной микросистемы на запах перегретой изоляции электрического кабеля // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 2. С. 53−56.
- Rothschild A., Komem Y. On the relationship between the grain size and gas-sensitivity of chemo-resistive metal-oxide gas sensors with nanosized grains // Journal of electroceramics. 2004. V. 13. № 1. Р. 697−701.
- Децик В.Н. и др. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках // Физика твердого тела. 1997. Т. 39. № 1. С. 121−126.