Д.В. Нефедов - к.т.н., науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: nefedov_dv@rambler.ru С.Ю. Суздальцев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН В.Я. Шаныгин - ст. инженер, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Р.К. Яфаров - д.т.н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Получены планарно-торцевые структуры на кремнии и исследованы их автоэмиссионные характеристики. Установлено, что существенное влияние на максимальную плотность автоэмиссионного тока оказывает процесс формирования эмиссионных окон в исходной структуре. Показано, что исследованные структуры имеют перспективу применения в приборах вакуумной электроники, интегрированных в существующие полупроводниковые структуры.