350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Зависимость электропроводности структур a-Si:H/c-Si от предварительной плазменной обработки монокристаллического кремния
Ключевые слова: аморфный кремний СВЧ-плазма электропроводность
Авторы:
Д.В. Нефедов - к.т.н., науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: nefedov_dv@rambler.ru С.Ю. Суздальцев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Проведено исследование влияния предварительной обработки монокристаллического кремния в плазме хладона и аргона на изменение электропроводности структур a-Si:H/c-Si.
Страницы: 74-75
Список источников

  1. Турищев С. Ю., Терехов В. А., Паринова Е. В. и др. / Известия вузов. Сер. Материалы электронной техники. 2011. T. 2. С. 3 - 10.
  2. Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь. 1986. 232 с.