350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2014 г.
Статья в номере:
Электронный транспорт в сильно коррелированной двумерной системе Si(111)7×7
Ключевые слова: поверхностная проводимость поверхность Si(111)7&#215 7 сильно коррелированные системы
Авторы:
А.Б. Одобеско - мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: arty@cplire.ru С.В. Зайцев-Зотов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация:
Проведены измерения проводимости поверхностной структуры Si(111)7×7 в зависимости от температуры в диапазоне от 35 до 300 К; показано, что проводимость поверхности описывается законом Эфроса-Шкловского; в рамках модели предполагается, что электроны локализованы на димерах, которые образуют центральные адатомы в элементарной ячейке 7×7, и проводимость по поверхности осуществляется путем прыжка с занятого димера на свободный; полученная экспериментально длина локализации электрона соответствует геометрическому размеру димера.
Страницы: 22-25
Список источников

  1. ГантмахерВ. Ф. Электроны в неупорядоченных средах. М.: Физматлит. 2005.
  2. Losio R., Altmann K. N. and HimpselF.J. Fermi surface of Si(111)7×7 // Phys. Rev. 2000. V. 61. P. 10845.
  3. Ortega J., Flores F. and YeyatiA.L. Electron correlation effects in the Si(111)7×7 surface // Phys. Rev. 1998. V. 58. p. 4584.
  4. Yoo K., Matsuda I., Hasegawa S. and HasegawaY. Nonmetallic transport property of the Si(111)7×7 surface // Phys. Rev. 2003. V. 68. P. 113303.
  5. Odobescu A.B. and Zaitsev-ZotovS.V.J. Energy gap revealed by  low-temperature scanning-tunnelling spectroscopy of the Si(111)7×7 surface in illuminated slightly doped crystals // Phys.: Condens. Matter. 2012. V. 24. P. 395003.
  6. Одобеско А.Б., Логинов Б.А., Логинов В.Б., Насретдинова В.Ф., Зайцев-ЗотовС.В. Сверхвысоковакуумное устройство для измерения проводимости поверхностных структур четырехконтактным методом на основе рефрижератора замкнутого цикла // Приборная и техническая эксплуатация. 2010. № 3. C. 152? 158.
  7. Shklovskii B. I., EfrosA. L. Electronic properties of doped semiconductors. Springer-Verlag. 1984.
  8. D-angelo M., Takase K., Miyata N., Hirahara T. and Hasegawa S., Nishide A., Ogawa M. and Matsuda I.Conductivity of the Si(111)7×7 dangling-bond state // Phys. Rev. 2009. V. 79. P. 035318.