350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Связь снижения квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик
Авторы:
В.А. Сергеев - д.т.н, директор УФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: sva@ulstu.ru И.В. Фролов - аспирант, базовая кафедра РОН УлГТУ. E-mail: ilya-frolov88@mail.ru Широков А.А. - к.т.н., вед. науч. сотрудник, УФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: ufire@mv.ru
Аннотация:
Показана связь скорости снижения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик.
Страницы: 90-91
Список источников
  1. Бочкарева Н.И. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 7. С. 829-832.
  2. Закгейм А.П. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 2. С. 219-223.