350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №1 за 2013 г.
Статья в номере:
Методы уменьшения статической мощности, потребляемой наноразмерными СБИС
Авторы:
В.А. Беспалов - д.т.н., профессор, кафедра ПКИМС, Национальный исследовательский университет «МИЭТ». E-mail: vrfin@miee.ru В.М. Дьяконов - к.т.н., доцент, кафедра ПКИМС, Национальный исследовательский университет «МИЭТ». E-mail: bobyak@mail.ru А.В. Коршунов - ст. преподаватель, кафедра ПКИМС, Национальный исследовательский университет «МИЭТ». E-mail: korshun@gmail.com
Аннотация:
Согласно прогнозам ITRS с уменьшением технологических размеров статическая мощность КМОП СБИС начинает доминировать над остальными компонентами энергопотребления. Рассмотрены методы снижения энергопотребления в КМОП СБИС в режиме ожидания на различных этапах проектирования. Представленные методы позволяют значительно уменьшить токи утечки, являющиеся одной из главных проблем увеличения энергопотребления в современных устройствах на СБИС.
Страницы: 37-43
Список источников
  1. Rabaey J., Pedram M. Power Aware Design Methodologies. NY.: Springer. 2003.
  2. International Technology Roadmap for Semiconductors [Электронный ресурс] // ITRS: [сайт]. [2010]. URL: http://www.itrs.net/
  3. Keating M., Flynn D., Aitken R., Gibbons A., Shi K. Low Power Methodology Manual: For System-on-Chip Design. NY.: Springer. 2007.
  4. Rabaey J., ChandrakasanA., NikolicB.Digital Integrated Circuits, 2nd ed. New Jersey: Prentice Hall. 2003.
  5. Rabaey J. Low Power Design Essentials. NY.: Springer. 2009.
  6. Дьяконов В.М., Коршунов А.В., Мариныч А.В. Методы оптимизации динамической мощности для СБИС и «систем на кристалле» // Электромагнитные волны и электронные системы. 2010. №3. C. 33-38.
  7. Korec J. Low Voltage Power MOSFETs. Design, Performance and Applications // Springer Briefs in Applied Sciences and Technology. V. 7. NY.: Springer. 2011.
  8. Veendrick J.M. Nanometer CMOS ICs From basics to ASICs. NY.: Springer. 2008.
  9. Bhunia S., Mukhopadhyay S. Low-Power Variation-Tolerant Design in Nanometer Silicon. NY: Springer. 2010.
  10. Girard P., Nicolici N., Wen X. Power-Aware Testing and Test Strategies for Low Power Devices. NY: Springer. 2009.
  11. Royannez P., et al. 90 nm low leakage SoC design techniques for wireless applications // IEEE Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers. Feb. 2005. P. 138-589.
  12. Gammie G., et al. SmartReflex Power and Performance Management Technologies for 90 nm, 65 nm, and 45 nm Mobile Application Processors // Proc. of IEEE. 2010. V. 98. № 2.
    P.144-159.
  13. Kwong, Y. Ramadass, N. Verma, and Chandrakasan A. A 65 nm sub-Vt microcontroller with integrated SRAM and switched capacitor DC-DC converter // IEEE J. Solid-State Circuits. Jan. 2009. V. 44. № 1. P. 115-126.
  14. Wang A., Calhoun B.H., Chandrakasan A.P. Sub-Threshold Design for Ultra Low-Power Systems. NY: Springer. 2006.
  15. Khanna S. Calhoun B.H. Serial sub-threshold circuits for ultra-low-power systems // Proc. Int. Symp. Low Power Electron. Design. Aug. 2009. P. 27-32.
  16. Mair H., et al. A 65-nm mobile multimedia applications processor with an adaptive power management scheme to compensate for variations // IEEE Symp. VLSI Circuits, 2007. P. 224-225.
  17. Sadi M., Karmakar N., Alam K. Dual Sleep Approach to Vlsi Design. Munich: VDM Verlag. 2010.
  18. Jun S., Insup S., Youngsoo S. Synthesis and implementation of active mode power gating circuits// 47th ACM/IEEE Design Automation Conference (DAC). 2010. P. 487-492.
  19. Synopsys Eclypse Low Power Solution [Электронный ресурс] // Synopsys, Inc.: [сайт]. [2009]. URL: http://www.synopsys.com/Solutions/ (дата обращения: 06.12.2011).
  20. Roy K., Kulkarni J. P., Hwang M.-E. Variations-Aware Low-Power Design and Block Clustering With Voltage Scaling // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems. 2007. V.15. № 7. P. 42-45.